下面是沟槽刻蚀和回填，这就是先挖一个，再填充，这个工艺现在主要是华虹采取这个工艺。主要有两家厂家做，从工艺角度来说，华虹的工艺更好。在很深的沟槽里面填充一个没有缺陷的P型单晶是非常有挑战性的，你可以在市场上看，华虹是非常好。大家有机会看看华虹每个财季的财报都很漂亮，利润很高。再仔细看业务拆分的话，排第一的就是高压超结。

下面是低压的VDMOS，一开始也是平面的，再到普通沟槽，然后到现在最热的SGT，现在是非常热的。实际上每一家的断代都不一样，但都是从平面的PT结构，到最新的PF+RC。从芯片厚度来说，头发丝直径30微米，IGBT60V在五六十微米，所以在8寸上面的精度非常高。应该来说国内和国际有两代到三代的差别，所以目前IGBT落后还是蛮多的。在学术界热的就是宽禁代，在五年之内宽禁代碳化硅也会发展平稳，以未来十年来看，增长量会非常大。今天这个节点上，国内碳化硅和氮化镓刚刚兴起。刚才谈的是行业的现状，现在谈中国的现状，因为比较分散，数据也不好搞，所以很多数据是来自国外的。这是2012年的一个报告，从这个上面结合我刚才谈的图，功率器件的市场基本上是在中国，我估计70%的功率器件在中国。

四、中国功率器件发展现状

从国内的地域来看，环渤海，就是北京和天津，有一些代工厂。天津有一个中华做得相当不错。西部只有西安，西安有龙腾和航天的一些厂。最强在江苏省，因为江苏在无锡和苏州，尤其是无锡，号称是中国集成电路的黄埔军校，所以一开始底子打得比较好，目前已经研制出很多元器件，不管是代工厂还是设计公司，很多都在无锡。深圳现在在功率器件应用端更强，但是代工厂有一些小的，像中芯、方正。中芯也开始在深圳做功率器件，半导体市场本身很火，但是功率器件比半导体更火。

左边这个图重新画了一下，是全球主要功率MOSFET份额，中国厂商在功率器件不到5%，国内市场加起来不到10%，所以功率器件绝大部分依赖进口。这是个问题，对国内也是一个机会。